Samsung và SK Hynix nâng cấp các nhà máy NAND tại Trung Quốc khi YMTC dẫn đầu thị trường

Hai nhà máy lớn đối mặt với bài toán công nghệ và cấp phép

Samsung Electronics đang chuyển đổi nhà máy ở Tây An, Trung Quốc, để sản xuất chip nhớ NAND 286 lớp, với mục tiêu đạt 5.000 tấm wafer mỗi tháng vào tháng 12/2026 và 40.000 tấm mỗi tháng vào tháng 12/2027, theo những người nắm rõ kế hoạch. SK Hynix đang nâng cấp nhà máy ở Đại Liên từ 192 lớp lên ít nhất 240 lớp, trong bối cảnh đối thủ Trung Quốc Yangtze Memory Technologies, còn gọi là YMTC, ngày càng chiếm thị phần lớn hơn.

Các kế hoạch được công bố chi tiết ngày 21/10/2026, liên quan đến những nhà máy giữ vai trò trọng yếu trong mảng kinh doanh thiết bị lưu trữ của các công ty Hàn Quốc. Riêng Tây An chiếm khoảng 40% sản lượng NAND toàn cầu của Samsung. Cả hai công ty xác nhận công việc đang được tiến hành sau khi tham vấn Washington, dù chưa công khai lịch trình sản xuất chi tiết.

Sự chấp thuận của Mỹ là điều kiện then chốt vì các nhà máy phụ thuộc vào thiết bị thuộc diện kiểm soát xuất khẩu của Mỹ. Washington đã chuyển các công ty từ cơ chế miễn trừ sang giấy phép thiết bị hằng năm, đồng thời duy trì chính sách được công bố là cho phép các nhà máy hiện có tại Trung Quốc tiếp tục hoạt động, thay vì phê duyệt nâng cấp công nghệ hoặc mở rộng công suất.

Áp lực thương mại đã thể hiện rõ. Công ty nghiên cứu thị trường Omdia ước tính YMTC chiếm 38,5% thị trường NAND Trung Quốc trong quý II/2026, cao hơn mức 33,5% của Samsung và 17% của SK Hynix. Các công ty Hàn Quốc đang tìm cách hiện đại hóa những cơ sở sản xuất quan trọng, đồng thời xoay xở với các quy định nhằm hạn chế khả năng tiếp cận công nghệ sản xuất chip tiên tiến của Trung Quốc.

Nhiều lớp hơn có ý nghĩa gì với lưu trữ

Bộ nhớ flash NAND lưu trữ thông tin ngay cả khi thiết bị mất nguồn. NAND chứa ảnh, ứng dụng và tệp trong điện thoại thông minh, máy tính, đồng thời cung cấp bộ nhớ trong các ổ cứng thể rắn được sử dụng tại trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo. Các hệ thống AI cần bộ nhớ này để duy trì khả năng truy cập những kho thông tin lớn phục vụ xử lý.

Các nhà sản xuất xếp chồng các ô nhớ theo chiều dọc để tăng dung lượng lưu trữ trong một chip. Việc tăng số lớp có thể nâng mật độ lưu trữ và giảm chi phí cho mỗi đơn vị dữ liệu. Wafer là đĩa mỏng dùng để sản xuất nhiều chip trước khi chúng được tách rời và đóng gói.

Theo những người nắm rõ hoạt động của nhà máy, cơ sở Tây An của Samsung hiện sản xuất NAND khoảng 200 lớp. Chuyển sang 286 lớp sẽ đưa nhà máy này gần hơn với công nghệ Samsung đang bán bên ngoài Trung Quốc. Việc SK Hynix chuyển từ 192 lên 240 lớp sẽ tăng số lớp thêm 25%.

Sản lượng và dung lượng lưu trữ là hai thước đo có liên quan nhưng khác nhau. Một nhà máy có thể xử lý số lượng wafer tương đương nhưng tạo ra dung lượng lưu trữ lớn hơn nếu mỗi chip chứa được nhiều dữ liệu hơn. Điều này giúp lý giải vì sao thay sản phẩm cũ bằng sản phẩm có mật độ cao hơn lại có ý nghĩa thương mại, ngay cả khi công ty cho biết vẫn giữ nguyên công suất nhà máy.

Dự án Monami của Samsung đặt mục tiêu tăng sản lượng gấp tám lần

Chương trình chuyển đổi của Samsung có tên nội bộ là Monami, bắt nguồn từ cụm từ tiếng Pháp có nghĩa là “bạn tôi”. Dự án sẽ đưa công nghệ NAND V9 thế hệ thứ chín, với 286 lớp, vào nhà máy Tây An ở tây bắc Trung Quốc.

Theo lịch trình được đưa tin, sản lượng hằng tháng của sản phẩm nâng cấp sẽ tăng từ 5.000 wafer vào tháng 12/2026 lên 40.000 vào tháng 12/2027. Như vậy, tốc độ sản xuất V9 dự kiến tăng gấp tám lần trong một năm khi nhà máy thay đổi cơ cấu sản phẩm.

Samsung cho biết công việc tuân thủ các quy định xuất khẩu của Mỹ. Trong tuyên bố, công ty mô tả việc nâng cấp là nhằm đáp ứng nhu cầu khách hàng và cho biết sẽ giữ nguyên quy mô cơ sở nhà máy:

Việc nâng cấp nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng từ khách hàng toàn cầu, trong đó có khách hàng tại Mỹ. Công ty không mở rộng công suất sản xuất hay xây dựng cơ sở sản xuất mới.

Tỷ trọng của Tây An trong sản lượng NAND toàn cầu của Samsung khiến việc chuyển đổi này có ý nghĩa vượt ra ngoài phạm vi Trung Quốc. Nâng cấp nhà máy chịu trách nhiệm cho khoảng hai trong mỗi năm đơn vị sản lượng NAND của công ty có thể giúp Samsung cung cấp bộ nhớ mật độ cao hơn cho khách hàng ở nhiều thị trường.

Đại Liên kết nối nâng cấp tại Trung Quốc với khả năng sản xuất ở Mỹ

SK Hynix đang lắp đặt thiết bị tại nhà máy Đại Liên ở đông bắc Trung Quốc và cho biết đã trao đổi với chính phủ Mỹ về công việc này. Những người nắm rõ kế hoạch cho biết công ty đang chuyển từ sản phẩm 192 lớp sang NAND 240 lớp trở lên.

Một người nắm rõ vấn đề cho biết công ty được phép sản xuất chip tối đa 240 lớp tại Đại Liên. Phạm vi phê duyệt thiết bị rộng hơn đối với các kế hoạch nâng cấp của cả hai công ty chưa được công bố công khai.

SK Hynix mua lại cơ sở Đại Liên thông qua thương vụ mua mảng kinh doanh NAND của Intel năm 2021. Mảng kinh doanh được mua lại, hiện mang tên Solidigm, phụ thuộc vào Đại Liên như cơ sở sản xuất chip NAND duy nhất và đang chuẩn bị phát hành cổ phiếu lần đầu ra công chúng tại Mỹ.

Công ty cũng có thể xin Mỹ cho phép nghiên cứu và phát triển chip trên 300 lớp tại Đại Liên. Công việc này có thể giúp chuẩn bị công nghệ cho khả năng sản xuất tại Mỹ, nơi SK Hynix đang thảo luận với chính quyền Trump về việc xây dựng nhà máy NAND mới.

Do đó, Đại Liên nằm trong hai kế hoạch có liên hệ với nhau: cải thiện cơ sở sản xuất hiện có tại Trung Quốc và phát triển công nghệ có thể hỗ trợ hoạt động sản xuất tại Mỹ. Việc xin phép nghiên cứu và các cuộc thảo luận về nhà máy ở Mỹ vẫn đang được cân nhắc, chưa phải khoản đầu tư đã hoàn tất.

Quy định cấp phép của Mỹ đã thay đổi ra sao

Cơ quan Nghiên cứu Quốc hội Mỹ ghi nhận sự thay đổi quy định trong báo cáo ngày 19/9/2025 về kiểm soát xuất khẩu chất bán dẫn. Báo cáo cho biết Mỹ đã loại các cơ sở được chỉ định của Samsung và SK Hynix tại Trung Quốc khỏi chương trình người dùng cuối đã được thẩm định (VEU) vào tháng 9/2025, với thay đổi có hiệu lực từ ngày 31/12/2025.

Chương trình này, thường được gọi là VEU, cho phép các cơ sở được chỉ định nhận một số mặt hàng thuộc diện kiểm soát mà không cần giấy phép xuất khẩu riêng. Các nhà máy Trung Quốc của hai công ty từng được hưởng miễn trừ đối với một số lô hàng thiết bị. Báo cáo của CRS cũng giải thích rằng các hạn chế được mở rộng vào năm 2024 để áp dụng với các công ty Hàn Quốc hoạt động tại Trung Quốc.

Sau đó, Washington cấp giấy phép xuất khẩu thiết bị hằng năm cho năm dương lịch 2026, theo những người nắm rõ quyết định này. Các phê duyệt được mô tả là nhằm hỗ trợ hoạt động và bảo trì liên tục, chứ không cho phép mở rộng không giới hạn. Thiết bị như máy khắc của Mỹ, dùng để loại bỏ vật liệu trong quá trình sản xuất chip, hiện được vận chuyển theo cơ chế cấp phép rõ ràng.

Cục Công nghiệp và An ninh Mỹ tiếp tục nhắc lại lập trường năm 2025: cơ quan này dự định phê duyệt giấy phép hỗ trợ hoạt động của các nhà máy hiện có, nhưng không cho phép mở rộng công suất hoặc nâng cấp công nghệ. Tuyên bố của Samsung rằng công việc tuân thủ quy định khiến các điều khoản trong từng giấy phép cụ thể đặc biệt quan trọng đối với kế hoạch chuyển đổi.

Các mốc thời gian của việc thay đổi nhà máy

Những đợt nâng cấp hiện nay diễn ra sau nhiều năm biến động về quyền sở hữu, hạn chế thiết bị và đầu tư. Các mốc sản xuất tiếp theo là mục tiêu tháng 12/2026 của Samsung và kế hoạch tăng sản lượng lớn hơn vào tháng 12/2027.

• 2021: SK Hynix mua lại nhà máy Đại Liên thông qua thương vụ mua mảng kinh doanh NAND của Intel.
• 2022: Mỹ áp đặt biện pháp kiểm soát đối với một số chip tiên tiến và thiết bị sản xuất chất bán dẫn xuất khẩu sang Trung Quốc.
• 2024: Washington mở rộng các hạn chế, trong đó có biện pháp ảnh hưởng đến các công ty chip Hàn Quốc hoạt động tại Trung Quốc.
• Tháng 9/2025: Các cơ sở được chỉ định của Samsung và SK Hynix bị loại khỏi chương trình VEU, có hiệu lực từ ngày 31/12/2025.
• 2026: Giấy phép hằng năm áp dụng cho các lô hàng thiết bị hỗ trợ hoạt động của hai công ty tại Trung Quốc.
• Tháng 12/2026: Samsung đặt mục tiêu sản xuất 5.000 wafer NAND V9 286 lớp mỗi tháng tại Tây An.
• Tháng 12/2027: Samsung đặt mục tiêu sản xuất 40.000 wafer sản phẩm này mỗi tháng tại Tây An.

Cơ chế cấp phép hằng năm đồng nghĩa việc tiếp cận thiết bị phải được cân nhắc cùng lịch trình nhà máy. Kế hoạch tăng sản lượng được đưa tin của Samsung kéo dài sang năm 2027, vượt quá năm dương lịch mà các phê duyệt năm 2026 áp dụng.

YMTC đã vươn lên trong thị trường NAND Trung Quốc

Số liệu của Omdia cho thấy YMTC giành thêm thị phần trong khi các đối thủ Hàn Quốc mất thị phần. Trong quý II/2026, YMTC chiếm 38,5% thị trường NAND Trung Quốc, tăng từ mức 28% trong cả năm 2025. Thị phần Samsung giảm từ 36% xuống 33,5%, còn SK Hynix giảm từ 20% xuống 17%.

Phép so sánh đặt một quý cạnh số liệu cả năm, nhưng cho thấy quy mô thay đổi cạnh tranh. Thị phần mới nhất của YMTC cao hơn số liệu năm 2025 là 10,5 điểm phần trăm. Samsung và SK Hynix cộng lại chiếm 50,5% trong quý II, giảm từ mức 56% năm 2025.

Theo số liệu của Omdia, YMTC cũng đạt 14% sản lượng NAND xuất xưởng toàn cầu, đứng thứ ba. Chỉ số sản lượng toàn cầu này phản ánh một thị trường khác với số liệu tại Trung Quốc, nơi công ty hiện dẫn trước Samsung 5 điểm phần trăm.

Những người nắm rõ sản phẩm của YMTC cho biết danh mục của công ty chủ yếu gồm NAND 160 và 232 lớp, cùng một lượng nhỏ sản phẩm 294 lớp. Công ty cũng đang lên kế hoạch cho các sản phẩm trên 300 lớp. Bước tiến này tạo lý do cụ thể để Samsung và SK Hynix thay thế công nghệ cũ tại các nhà máy ở Trung Quốc.

Cuộc đua công nghệ vượt ra ngoài các nhà máy ở Trung Quốc

Samsung đã bán NAND tối đa 286 lớp bên ngoài Trung Quốc và giới thiệu nguyên mẫu trên 400 lớp vào tháng 8/2026. SK Hynix bán sản phẩm tối đa 321 lớp. Các kế hoạch nâng cấp tại Trung Quốc sẽ thu hẹp khoảng cách công nghệ trong mạng lưới sản xuất của chính hai công ty.

Dự án Tây An của Samsung sẽ đưa nhà máy lên ngang số lớp của các sản phẩm thương mại hiện nay ở những nơi khác. Đề xuất chuyển sang ít nhất 240 lớp của SK Hynix sẽ giúp Đại Liên vượt mức 192 lớp hiện tại, còn khả năng nghiên cứu sản phẩm trên 300 lớp sẽ hướng tới thế hệ tiếp theo.

Hoạt động phát triển bộ nhớ tại Trung Quốc cũng đang tiến triển ngoài YMTC. ChangXin Memory Technologies, hay CXMT, gần đây công bố một kiến trúc transistor mới mà theo công ty có thể giúp họ vượt lên trước các đối thủ. CXMT là một phần khác trong nỗ lực xây dựng năng lực sản xuất bộ nhớ trong nước của Trung Quốc, trong khi YMTC là đối thủ NAND trực tiếp thúc đẩy những thay đổi trên thị trường mà Samsung và SK Hynix đang đối mặt.

Báo cáo CRS mô tả các biện pháp kiểm soát của Mỹ là nhằm phục vụ mục tiêu kinh tế và an ninh quốc gia, trong đó có việc hạn chế khả năng tiếp cận sản xuất chip tiên tiến và làm chậm những năng lực có thể hỗ trợ mục đích quân sự. Báo cáo cũng ghi nhận một mối lo ngại trái chiều từ một số bên liên quan: các hạn chế có thể khuyến khích Trung Quốc tự phát triển thêm công nghệ trong nước. Quyết định về nhà máy của các công ty nằm giữa những mục tiêu chính sách đó và nhu cầu thương mại nhằm duy trì sức cạnh tranh của sản phẩm.

Nhu cầu AI làm tăng giá trị của các nhà máy hiện có

Alibaba, ByteDance và Tencent được cho là đã đặt đơn hàng tổng trị giá 35 tỷ USD với Nvidia, công ty đang chật vật đáp ứng nhu cầu tại Trung Quốc. Các đơn hàng này liên quan đến bộ xử lý dùng cho tính toán, còn các nâng cấp tại Trung Quốc của Samsung và SK Hynix tập trung vào bộ nhớ cần thiết cho các hệ thống tính toán. Cả hai đều cho thấy chi tiêu lớn cho hạ tầng AI.

Công việc tại các nhà máy diễn ra sau khi đầu tư tăng đáng kể. Samsung và SK Hynix đã chi tổng cộng 1.4871 nghìn tỷ won tại ba nhà máy ở Trung Quốc trong năm 2025, theo thông tin được công bố hồi tháng 3 về mức đầu tư tăng tại Trung Quốc. Samsung tăng chi tiêu tại Tây An 67,5%, trong khi SK Hynix tăng hơn gấp đôi đầu tư ở Vô Tích và tăng chi tiêu tại Đại Liên 52%.

Vô Tích sản xuất DRAM, loại bộ nhớ giữ thông tin khi hệ thống đang hoạt động, còn Tây An và Đại Liên sản xuất NAND để lưu trữ dữ liệu lâu dài. Vì vậy, khoản đầu tư trước đó bao phủ nhiều khâu khác nhau trong chuỗi cung ứng bộ nhớ, chứ không chỉ tập trung vào một sản phẩm.

Các nhà máy mới thường mất từ ba đến năm năm để xây dựng, trang bị và đưa vào hoạt động đầy đủ. Những cơ sở hiện có tại Trung Quốc tạo nền tảng sản xuất sẵn có, có thể đáp ứng nhanh hơn nếu công việc về thiết bị và chuyển đổi được tiến hành. Với khách hàng cần thêm dung lượng lưu trữ, điều quan trọng là các nhà máy này có thể cung cấp sản phẩm mới nhanh đến đâu và mỗi wafer có thể mang lại bao nhiêu dung lượng.

Điểm chính

• Samsung dự định chuyển đổi nhà máy Tây An sang NAND V9 286 lớp, với mục tiêu được đưa tin là 5.000 wafer mỗi tháng vào tháng 12/2026 và 40.000 vào tháng 12/2027.
• SK Hynix đang nâng cấp Đại Liên từ 192 lớp lên 240 lớp trở lên và có thể xin phép nghiên cứu sản phẩm vượt 300 lớp.
• Cả hai công ty cho biết đang tham vấn Washington. Samsung nói dự án tuân thủ quy định của Mỹ và không làm tăng công suất nhà máy.
• Giấy phép thiết bị hằng năm của Mỹ thay thế các miễn trừ trước đây sau ngày 31/12/2025.
• YMTC chiếm 38,5% thị trường NAND Trung Quốc trong quý II/2026, dẫn trước Samsung với 33,5% và SK Hynix với 17%.
• Nhu cầu lưu trữ phục vụ AI và cạnh tranh ngày càng mạnh từ Trung Quốc đang làm tăng áp lực hiện đại hóa các nhà máy giữ vai trò trọng yếu trong hoạt động kinh doanh của các công ty Hàn Quốc.